型號: | 2SK3479-Z-E2-AZ |
廠商: | Renesas Electronics America |
文件頁數(shù): | 5/10頁 |
文件大?。?/td> | 0K |
描述: | MOSFET 100V N-CH TO-263 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝: | 2,000 |
FET 型: | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 100V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 83A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 11 毫歐 @ 42A,10V |
Id 時的 Vgs(th)(最大): | 2.5V @ 1mA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 210nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 11000pF @ 10V |
功率 - 最大: | 1.5W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | TO-263,TO-220SMD |
包裝: | 帶卷 (TR) |