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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK3322 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 中文描述： | 開關(guān)N溝道功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 91K |
| 代理商： | 2SK3322 |
Data Sheet D14114EJ2V0DS
7
2SK3322
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
1) TO-220AB (MP-25)
2) TO-262
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1 2 3
10.6 MAX.
10.0 TYP.
3.6±0.2
φ
4
3
1.3±0.2
0.75±0.1
2.54 TYP.
2.54 TYP.
5
6
1
1
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1
2
3
10 TYP.
1.3±0.2
0.75±0.3
2.54 TYP.
2.54 TYP.
8
1
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
1
4
3) TO-263 (MP-25ZJ)
4) TO-263 (MP-25ZK)
1.4±0.2
1
2.54 TYP.
2.54 TYP.
8
1
2
3
5
4
4.8 MAX.
1.3±0.2
0.5±0.2
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
0.7±0.2
10 TYP.
05RTYP
08RTYP
2
10.0±0.3
8
2.54
0.75±0.2
9
2
1
1
1
2
3
4
2
4.45±0.2
1.3±0.2
0.5±0.2
0 to 8
o
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
No plating
7.88 MIN.
0.025 to
0.25
0.25
EQUIVALENT CIRCUIT
Source
Body
Diode
Gate
Protection
Diode
Gate
Drain
Remark
The diode connected between the gate and source of the transistor
serves as a protector against ESD. When this device actually used,
an additional protection circuit is externally required if a voltage
exceeding the rated voltage may be applied to this device.
★
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3322-S | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3348 | Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK3349 | Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching |
| 2SK3351 | N CHANNEL MOS SILICON TRANSISTOR |
| 2SK3359 | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3322-S | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3322-ZJ | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3322-ZK | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3324 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
| 2SK3324-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 900V 6A 2800m@10V TO3P Bulk |
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