參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3288
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 100 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： MPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 39K
代理商： 2SK3288
2SK3288
7
Package Dimensions
0.16
0 – 0.1
+ 0.10
– 0.06
0.4
+ 0.10
– 0.05
0.95
1.9
± 0.2
2.95
± 0.2
2.8
+
0.2
–
0.6
0.65
1.5
±0.15
0.65
1.1
+
0.2
–
0.1
0.3
Hitachi Code
JEDEC
EIAJ
Mass (reference value)
MPAK
—
Conforms
0.011 g
As of January, 2001
Unit: mm
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK3291 1.6 A, 60 V, 0.68 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3292 2 A, 60 V, 0.44 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3294-AZ 20 A, 250 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2SK3295-S 35 A, 20 V, 0.027 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
2SK3295-ZJ 35 A, 20 V, 0.027 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK3288ENTL 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A MPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3289 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching
2SK3289AN(TL-E) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape
2SK3290 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching
2SK3290BNTL 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape
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