參數(shù)資料
型號： 2SK3116B-S19-AY
元件分類： JFETs
英文描述： 7.5 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： LEAD FREE, MP-25, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大小： 199K
代理商： 2SK3116B-S19-AY
Data Sheet D18068EJ2V0DS
7
2SK3116B
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
1) TO-220 (MP-25)
2) TO-263 (MP-25ZK)
4.8 MAX.
1 2 3
10.2 MAX.
8.7 TYP.
3.6±0.2
4
2.8±0.3
1.52±0.2
0.8±0.1
2.54 TYP.
6.3
MIN.
3.0
TYP.
15.9
MAX.
12.7
MIN.
1.3±0.2
0.5±0.2
2.4±0.2
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
10.0±0.3
8.0
TYP.
2.54
0.75±0.2
9.15±0.3
2.54±0.25
15.25±0.5
1.35±0.3
123
4
2.5
4.45±0.2
1.3±0.2
0.5±0.2
0 to 8o
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
No plating
7.88 MIN.
0.025 to
0.25
Remark
Strong electric field, when exposed to this device, can cause destruction of the gate oxide and ultimately degrade
the device operation. Steps must be taken to stop generation of static electricity as much as possible, and quickly
dissipate it once, when it has occurred.
EQUIVALENT CIRCUIT
Body
Diode
Source (S)
Drain (D)
Gate (G)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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