參數(shù)資料
型號： 2SK3116B-S19-AY
元件分類： JFETs
英文描述： 7.5 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： LEAD FREE, MP-25, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 199K
代理商： 2SK3116B-S19-AY
Data Sheet D18068EJ2V0DS
4
2SK3116B
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
I
D
-
Dr
ain
Cur
rent
-
A
0
2
4
6
8
10
12
0
5
10
15
VGS = 10 V
8 V
Pulsed
VDS - Drain to Source Voltage - V
I
D
-D
rain
Cur
rent
-
A
0.01
0.1
1
10
100
010
20
30
Tch = 125°C
75°C
25°C
VDS = 10 V
Pulsed
VGS - Gate to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V
G
S
(off)
-
Gate
C
ut
-off
Voltage
-
V
1
2
3
4
5
-50
0
50
100
150
VDS = 10 V
ID = 1 mA
Tch - Channel Temperature -
°C
|y
fs
|-
Forw
ard
T
ransfer
Ad
mittance
-
S
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
100
VDS = 10 V
Pulsed
Tch =
25°C
75°C
125°C
ID - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
R
DS(
on)
-Drain
to
S
ource
On
-state
Re
sistance
-
Ω
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
5
10
15
20
25
Pulsed
ID = 7.5 A
4.0 A
VGS – Gate to Source Voltage - V
R
DS(
on)
-Drain
to
S
ource
On
-state
Re
sistance
-
Ω
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
0.01
0.1
1
10
100
Pulsed
VGS = 10 V
20 V
ID - Drain Current - A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK3116 7.5 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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