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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK3116 |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 7.5 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | MP-25, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | 2SK3116 |
Data Sheet D13339EJ2V0DS
5
2SK3116
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
TC - Case Temperature - C
dT
-
Percentage
of
Rated
Power
-
%
040
20
60
100
140
80
120
160
100
80
60
40
20
0
TC - Case Temperature - C
P
T
-Total
Power
Dissipation
-
W
080
20
40
60
100
140
120
160
80
60
40
20
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
10
30
50
70
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
10
100
1000
ID
-
Drain
Current
-
A
1
VDS - Drain to Source Voltage - V
100
10
1
0.1
Po
wer
Dissipation
Limited
100
s
10
m
s
1 ms
100
ms
PW
=
10
s
ID(pulse)
ID(DC)
3 ms
30
ms
TC = 25C
Single Pulse
DC
R
DS(on)
Limited
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
PW - Pulse Width - s
rth(t)
-
Transient
Thermal
Resistance
-
C/
W
100 m
1
10
100
1000
10 m
1 m
100
10
100
10
1
0.1
0.01
Rth(ch-A) = 83.3C/W
Rth(ch-C) = 1.79C/W
5
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3116-ZJ | 7.5 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 2SK3120 | 2 A, 30 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK3127(2-10S2B) | 45 A, 30 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK3127(2-10S1B) | 45 A, 30 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK3134(S) | 75 A, 30 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3116-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 600V 7.5A 1200m@10V TO220AB Bulk |
| 2SK3116B | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:7.5A600V |
| 2SK3116-S | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| 2SK3116-Z-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
| 2SK3116-ZJ | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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