參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3116-ZJ
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 7.5 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： MP-25ZJ, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 70K
代理商： 2SK3116-ZJ
Data Sheet D13339EJ2V0DS
7
2SK3116
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
1) TO-220AB (MP-25)
2) TO-262 (MP-25 Fin Cut)
3) TO-263 (MP-25ZJ)
Remark
Strong electric field, when exposed to this device, can cause destruction of the gate oxide and ultimately degrade
the device operation. Steps must be taken to stop generation of static electricity as much as possible, and quickly
dissipate it once, when it has occurred.
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1 2 3
10.6 MAX.
10.0 TYP.
3.6±0.2
4
3.0±0.3
1.3±0.2
0.75±0.1
2.54 TYP.
5.9
MIN.
6.0
MAX.
15.5
MAX.
12.7
MIN.
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
φ
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1
2
3
10 TYP.
1.3±0.2
0.75±0.3
2.54 TYP.
8.5±
0.2
12.7
MIN.
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
1.0±0
.5
4
1.4±0.2
1.0±0.5
2.54 TYP.
8.5±0.2
123
5.7±0.4
4
4.8 MAX.
1.3±0.2
0.5±0.2
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
0.7±0.2
10 TYP.
0.5R
TYP.
0.8R
TYP.
2.8±0.2
EQUIVALENT CIRCUIT
Body
Diode
Source (S)
Drain (D)
Gate (G)
5
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PDF描述
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