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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK3109-S |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開關功率場效應晶體管 工業(yè)級 |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 77K |
| 代理商： | 2SK3109-S |
Data Sheet D13332EJ1V0DS00
7
2SK3109
PACKAGE DRAWINGS (Unit : mm)
1)TO-220AB (MP-25)
2)TO-262 (MP-25 Fin Cut)
3)TO-263 (MP-25ZJ)
Remark
The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.
When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding
the rated voltage may be applied to this device.
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1 2 3
10.6 MAX.
10.0
3.6±0.2
φ
4
3
1.3±0.2
0.75±0.1
2.54 TYP.
2.54 TYP.
5
6
1
1
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1
2
3
(10)
4
1.3±0.2
0.75±0.3
2.54 TYP.
2.54 TYP.
8
1
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
1
(10)
1.4±0.2
1
2.54 TYP.
2.54 TYP.
8
1
2
3
5
4
2
4.8 MAX.
1.3±0.2
0.5±0.2
(05R
(08R
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
0.7±0.2
EQUIVALENT CIRCUIT
Source
Body
Diode
Gate
Protection
Diode
Gate
Drain
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3109-ZJ | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 2SK3119 | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 2SK3120 | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 2SK3121 | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 2SK3122 | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3109-ZJ | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
| 2SK311 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:SILICON N-CHANNEL MOS FET (HIGH SPEED POWER SWITCHING) |
| 2SK3110 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
| 2SK3110-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 200V 14A 180m@10V IsolatedTO220 Bulk |
| 2SK3111 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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