參數(shù)資料
型號： 2SK3082S
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
中文描述： 硅?通道場效應晶體管高速電源開關
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 57K
代理商： 2SK3082S
2SK3082(L),2SK3082(S)
4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
4
8
12
16
20
5
20
100
1
10
50
2
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
–40
0
40
80
120
160
0
0.1 0.2
1
5
20
20
2
5
1
0.5
1.0
0.2
0.5
0.1
0.02
0.01
0.05
0.5
2
Gate to Source Voltage V (V)
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
V
D
D
Drain Current I (A)
D
R
D
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
Case Temperature Tc (°C)
R
D
S
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
Drain Current I (A)
F
f
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
Pulse Test
5 A
2 A
I = 10 A
D
Pulse Test
10
10
V = 4 V
Pulse Test
10 V
V = 10 V
Pulse Test
25 °C
Tc = –25 °C
75 °C
I = 10 A
D
V = 4 V
10 V
5 A
10 A
2 A
2, 5 A
相關PDF資料
PDF描述
2SK3105 N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
2SK3107 N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING
2SK3108 Switching N-channel power MOS FET industrial use
2SK3109 Switching N-channel power MOS FET industrial use
2SK3109-S Switching N-channel power MOS FET industrial use
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參數(shù)描述
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2SK3084-SM(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
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