參數(shù)資料
型號： 2SK2912(S)
文件頁數(shù)： 7/11頁
文件大?。?/td> 58K
代理商： 2SK2912(S)
2SK2957(L),2SK2957(S)
5
0.1
0.3
1
3
10
30
100
010
20
30
40
50
300
10000
1000
3000
50
40
30
20
10
0
20
16
12
8
4
20
40
60
80
100
0
1000
500
100
200
20
50
10
0.1 0.2
2
10
50
100
50
10
20
2
5
1
di / dt = 50 A / s
V
= 0, Ta = 25 °C
GS
100
300
20
1
Reverse Drain Current
I
(A)
DR
Reverse
Recovery
Time
trr
(ns)
Body–Drain Diode Reverse
Recovery Time
Capacitance
C
(pF)
Drain to Source Voltage V
(V)
DS
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
Gate Charge
Qg (nc)
Drain
to
Source
Voltage
V
(V)
DS
Gate
to
Source
Voltage
V
(V)
GS
Dynamic Input Characteristics
Drain Current
I
(A)
D
Switching
Time
t
(ns)
Switching Characteristics
10
V
= 0
f = 1 MHz
GS
Ciss
Coss
Crss
I
= 50 A
D
VGS
VDS
V
= 5 V
10 V
25 V
DD
V
= 25 V
10 V
5 V
DD
0.5
5
V
= 10 V, V
= 10 V
PW = 5 s, duty < 1 %
GS
DD
r
t
d(on)
t
d(off)
t
t f
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK2925(L)
2SK2925(S)
2SK2926(L)
2SK2926(S)
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參數(shù)描述
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2SK2914 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 250V 7.5A 3PIN TO-220 - Rail/Tube
2SK2914(F) 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 250V 7.5A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 250V 7.5A TO-220AB
2SK2915 功能描述:MOSFET N-CH 600V 16A TO-3PN RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK2915(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bulk
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