參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK2857
廠商： NEC Corp.
英文描述： N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING
中文描述： N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管高速開(kāi)關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
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代理商： 2SK2857
Data Sheet D11648EJ2V0DS00
4
2SK2857
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
1
0.1
10
20
I
D
- Drain Current - A
R
D
0
T
A
= 125
C
75
C
25
C
25
C
80
120
160
200
240
40
V
GS
= 10 V
0
200
400
600
800
1000
2
4
6
8
10
12
14
16
R
D
-
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
I
D
= 2.5 A
1.5 A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
1
10
100
1000
100
10
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
C
i
,
o
,
r
V
DS
- Drain Source Voltage - V
C
iss
C
oss
C
rss
f = 1 MHz
0.1
1
10
I
D
- Drain Current - A
t
(
,
(
,1000
10
0.1
td
(off)
tf
td
(on)
tr
SWITCHING CHARACTERISTICS
0.1
1
10
20
0.6
0.8
V
F(S-D)
- Source to Drain Voltage - V
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
V
GS
= 0 V
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
I
F
Q
g
- Gate Charge - nC
V
D
-
0
8
4
12
6
2
10
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
60
V
G
-
V
GS
V
DS
I
D
= 4 A
10
20
30
40
50
0
2
4
6
8
10
12
V
DD
= 12 V
30 V
48 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK2858 N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING
2SK2859 Ultrahigh-Speed Switching Applications
2SK2864 Ultrahigh-Speed Switching Applications
2SK2869 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK2885 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
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參數(shù)描述
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2SK2857-T1 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SK2857-T1-AZ 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SC-62 T/R Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SEMICONDUCTOR, DESCRETE, MOS, FET, N CHA 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SC-62 T/R
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