參數(shù)資料
型號： 2SK2851
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
中文描述： 硅?通道場效應(yīng)晶體管高速電源開關(guān)
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 50K
代理商： 2SK2851
2SK2851
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
*
1
I
DR
I
AP
*
3
E
AR
*
3
Pch*
2
60
V
Gate to source voltage
±
20
V
Drain current
5
A
Drain peak current
20
A
Body to drain diode reverse drain current
5
A
Avalanche current
5
A
Avalanche energy
2.14
mJ
Channel dissipation
0.9
W
Channel temperature
Tch
150
°
C
°
C
Storage temperature
Notes: 1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1 %
2. Value at Ta = 25
°
C
3. Value at Tch = 25
°
C, Rg
≥
50
Tstg
–55 to +150
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PDF描述
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