參數(shù)資料
型號: 2SK2828
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
中文描述: 硅?通道場效應(yīng)晶體管高速電源開關(guān)
文件頁數(shù): 7/10頁
文件大小: 45K
代理商: 2SK2828
2SK2828
7
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
10 μ
100 μ
1 m
10 m
100 m
1
10
DM
P
PW
T
D =T
ch – c = 0.71 °C/W, Tc = 25 °C
q g q
q
Tc = 25°C
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
50
40
30
20
10
V = 0, –5 V
Source to Drain Voltage V (V)
R
D
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Pulse Width PW (S)
N
s
g
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
Pulse Test
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK2848 MOSFET
2SK2851 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK2857 N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING
2SK2858 N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING
2SK2859 Ultrahigh-Speed Switching Applications
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK2835TP 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 5A 3PIN TPS - Tape and Reel
2SK2837 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO-3PN RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK2837(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 500V 20A 3PIN 2-16C1C - Rail/Tube 制造商:Toshiba 功能描述:Nch 500V 20A 0.27@10V TO3P(N) Bulk
2SK2837(Q,T) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN T/R 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO-3PN
2SK2838(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220