參數(shù)資料
型號： 2SK2735(L)
元件分類： JFETs
英文描述： 0.05 ohm, POWER, FET
封裝： SC-63, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 37K
代理商： 2SK2735(L)
2SK2735(L), 2SK2735(S)
3
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Drain to source breakdown
voltage
V
(BR)DSS
30
——V
I
D = 10mA, VGS = 0
Gate to source breakdown
voltage
V
(BR)GSS
±20
——V
I
G = ±100A, VDS = 0
Gate to source leak current
I
GSS
——
±10
AV
GS = ±16V, VDS = 0
Zero gate voltege drain
current
I
DSS
——
10
AV
DS = 30 V, VGS = 0
Gate to source cutoff voltage
V
GS(off)
1.0
—
2.0
V
I
D = 1mA, VDS = 10V
Static drain to source on state R
DS(on)
—2028m
I
D = 10A, VGS = 10V*
1
resistance
R
DS(on)
—3550m
I
D = 10A, VGS = 4V*
1
Forward transfer admittance
|y
fs|
8
16
—
S
I
D = 10A, VDS = 10V*
1
Input capacitance
Ciss
—
750
—
pF
V
DS = 10V
Output capacitance
Coss
—
520
—
pF
V
GS = 0
Reverse transfer capacitance Crss
—
210
—
pF
f = 1MHz
Turn-on delay time
t
d(on)
—
16
—
ns
I
D = 10A, VGS = 10V
Rise time
t
r
—
225
—
ns
R
L = 1
Turn-off delay time
t
d(off)
—85—
ns
Fall time
t
f
—90—
ns
Body to drain diode forward
voltage
V
DF
—
1.0
—
V
I
F = 20A, VGS = 0
diF/ dt = 50A/
s
Body to drain diode reverse
recovery time
t
rr
—40—
V
I
F = 20A, VGS = 0
diF/ dt = 50A/
s
Note:
1. Pulse test
See characteristics curves of 2SK2684
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PDF描述
2SK2735(S) 0.05 ohm, POWER, FET
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