參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK2613
元件分類： JFETs
英文描述： 8 A, 1000 V, 1.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： LEAD FREE, 2-16C1B, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 201K
代理商： 2SK2613
2SK2613
2010-01-29
5
10
μ
100
μ
1 m
10 m
100 m
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
T
PDM
t
Duty
= t/T
Rth (ch-c) = 0.833°C/W
Single pulse
Duty
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
rth tw
Safe operating area
EAS – Tch
Drain-source voltage VDS (V)
Pulse width tw (s)
Channel temperature (initial) Tch (°C)
Normalized
trans
ient
thermal
impedance
r th
(
t)
/R
th
(
ch-
c)
A
valan
che
ene
rgy
E
AS
(mJ)
Drain
curren
t
I D
(
A
)
15 V
Test circuit
Waveform
IAR
BVDSS
VDD
VDS
RG = 25 Ω
VDD = 90 V, L = 26.3 mH
=
VDD
BVDSS
2
I
L
2
1
ΕAS
0.01
1
0.1
0.03
0.05
1
0.3
0.5
10
3
5
10
3
100
30
10000
300
DC Operation
Tc
= 25°C
100
μs *
1 ms *
* Single nonrepetitive pulse
Tc
= 25°C
Curves must be derated linearly
with increase in temperature.
ID max (pulsed) *
ID max (continuous)
VDSS max
1000 3000
100
30
50
0
25
200
400
600
1000
800
50
75
100
125
150
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