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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK2608 |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 3 A, 900 V, 4.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | LEAD FREE, 2-10P1B, SC-46, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 414K |
| 代理商： | 2SK2608 |
2SK2608
2004-07-06
4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2610 | 5 A, 900 V, 2.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2611 | 9 A, 900 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2614(2-7B2B) | 20 A, 50 V, 0.046 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2614(2-7B2B) | 20 A, 50 V, 0.046 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2614(2-7B1B) | 20 A, 50 V, 0.046 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK2608(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:Nch 900V 3A 4.3@10V TO220AB Bulk |
| 2SK2610 | 功能描述:MOSFET N-CH 900V 5A TO-3PN RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK2610(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:Nch 900V 5A 2.5@10V TO3P(N) 制造商:Toshiba 功能描述:Nch 900V 5A 2.5@10V TO3P(N) Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N TO-3P 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
| 2SK2610(F,T) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 900V 5A 3PIN TO-3P(N) - Rail/Tube 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 900V 5A TO-3PN |
| 2SK2610 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N TO-3P |
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