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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK2476 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開關(guān)功率場效應(yīng)晶體管 工業(yè)級(jí) |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 117K |
| 代理商： | 2SK2476 |
2SK2476
4
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
PW - Pulse Width - s
r
t
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
I
D
- Drain Current - A
f
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
R
D
0
10
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
GATE TO SOURCE CUTOFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
T
ch
- Channel Temperature - C
V
G
I
D
- Drain Current - A
R
D
5
1.0
10
0.001
0.01
0.1
1
100
1 000
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1 000
10
100
μ
μ
V
= 20 V
Pulsed
1
0.1
0.1
1
10
1.0
10
5
20
30
Pulsed
10
10
100
Pulsed
V
GS
= 10 V
0
5
V
DS
= 10 V
I
D
= 1 mA
–50
0
50
100
150
0
0.01
Single Pulse
T
c
= 25 C
10
I
D
= 3 A
1.5 A
0.6 A
T
A
= –25C
25C
75C
125C
R
th(ch-a)
= 62.5(C/W)
R
th(ch-c)
= 3.13(C/W)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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