參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK2393-E
元件分類： JFETs
英文描述： 8 A, 1500 V, 2.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3PL, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大小： 100K
代理商： 2SK2393-E
2SK2393
REJ03G1010-0300 Rev.3.00 Apr 28, 2009
Page 2 of 6
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Drain to source breakdown voltage
V(BR)DSS
1500
—
V
ID = 10 mA, VGS = 0*
1
Gate to source leak current
IGSS
—
±1
A
VGS =
±20 V, VDS = 0
Zero gate voltage drain current
IDSS
—
500
A
VDS = 1200 V, VGS = 0
Gate to source cutoff voltage
VGS(off)
2.0
—
4.0
V
ID = 1 mA, VDS = 10 V
Static drain to source on state
resistance
RDS(on)
—
1.9
2.8
ID = 4 A, VGS = 15 V*
3
Forward transfer admittance
|yfs|
1.8
3.0
—
S
ID = 4 A, VDS = 20 V*
3
Input capacitance
Ciss
—
4370
—
pF
Output capacitance
Coss
—
560
—
pF
Reverse transfer capacitance
Crss
—
200
—
pF
VDS = 10 V, VGS = 0,
f = 1 MHz
Turn-on delay time
td(on)
—
75
—
ns
Rise time
tr
—
180
—
ns
Turn-off delay time
td(off)
—
260
—
ns
Fall time
tf
—
125
—
ns
ID = 4 A, VGS = 10 V,
RL = 7.5
Body to drain diode forward voltage
VDF
—
0.9
—
V
IF = 8 A, VGS = 0
Body to drain diode reverse
recovery time
trr
—
6.5
—
s
IF = 8 A, VGS = 0,
diF / dt = 100 A /
s
Note:
3. Pulse Test
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PDF描述
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