參數(shù)資料
型號： 2SK2369
元件分類： JFETs
英文描述： 20 A, 450 V, 0.35 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3P, MP-88, 3 PIN
文件頁數(shù)： 10/10頁
文件大?。?/td> 2748K
代理商： 2SK2369
Data Sheet D13191EJ3V0DS
7
2SK2369,2370
PACKAGE DRAWING (Unit: mm)
TO-3P (MP-88)
15.7 MAX.
3.2±0.2
4.5±0.2
5.0
TYP.
1.0
TYP.
3.0±0.25
20.0±0.25
19
MIN.
2.2±0.2
5.45 TYP.
1.0±0.2
4.7 MAX.
1.5 TYP.
6.0
TYP.
2.8±0.1
0.6±0.1
1
2
3
4
φ
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
EQUIVALENT CIRCUIT
Source
Body
Diode
Gate
Drain
Remark Strong electric field, when exposed to this device, can cause destruction of the gate oxide and ultimately degrade
the device operation. Steps must be taken to stop generation of static electricity as much as possible, and
quickly dissipate it once, when it has occurred.
<R>
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