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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK2329 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/9頁(yè) |
| 文件大小： | 59K |
| 代理商： | 2SK2329 |
2SK2329(L), 2SK2329(S)
6
Reverse Drain Current I (A)
R
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
1000
200
500
100
20
50
10
0.2
0.5
1
2
5
10
20
di/dt = 20 A/
μ
s
V = 0, Ta = 25
°
C
0
10
20
30
40
50
C
Drain to Source Voltage V (V)
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
5000
2000
1000
200
500
100
50
Ciss
Coss
Crss
V = 0
f = 1 MHz
100
80
60
40
20
0
Gate Charge Qg (nc)
D
D
20
16
12
8
4
G
G
V = 10 V
25 V
I = 10 A
V
GS
V
DS
V = 25 V
10 V
Dynamic Input Characteristics
20
40
60
80
100
0
Drain Current I (A)
S
Switching Characteristics
1000
200
500
100
20
50
10
0.2
0.5
1
2
5
10
20
V = 4 V, V = 10 V
PW = 3 μs, duty < 1 %
tf
r
d(on)
t
d(off)
t
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2329S | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2330 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2330L | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2330S | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2334 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK2329-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
| 2SK2329L | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK2329-L(E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| 2SK2329S | 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Silicon N-Channel MOSFET |
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