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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK2329 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 59K |
| 代理商： | 2SK2329 |
2SK2329(L), 2SK2329(S)
5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
Gate to Source Voltage V (V)
D
D
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
2
4
6
8
10
Pulse Test
I = 10 A
2 A
5 A
Drain Current I (A)
D
R
D
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
1
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10 20
50 100
V = 2.5 V
4 V
Pulse Test
0.2
0.5
0.1
0.02
0.05
0.01
0.10
0.08
D
0.06
0.04
0.02
–40
0
40
80
120
160
Case Temperature Tc (°C)
0
R
S
Pulse Test
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
I = 2 A, 5 A, 10 A
D
V = 4 V
2.5 V
2 A, 5 A, 10 A
0.1
F
Drain Current I (A)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
0.3
1
3
10
30
100
50
20
10
2
5
1
0.5
25 °C
75 °C
Tc = –25 °C
V = 10 V
Pulse Test
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2329S | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2330 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2330L | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2330S | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2334 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK2329-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
| 2SK2329L | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK2329-L(E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| 2SK2329S | 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Silicon N-Channel MOSFET |
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