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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK2329(L) |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 0.06 ohm, POWER, FET |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 7/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 56K |
| 代理商： | 2SK2329(L) |
2SK2329(L), 2SK2329(S)
4
40
30
20
10
0
Channel
Dissipation
Pch
(W)
50
100
150
200
Case Temperature
Tc (
°C)
Power vs. Temperature Derating
Drain to Source Voltage
V
(V)
DS
Drain
Current
I
(A)
D
Maximum Safe Operation Area
100
20
50
10
2
5
1
0.2
0.5
0.1
0.5
1
2
5
10
20
50
1 ms
PW
=
10
ms
(1shot)
DC
Operation
(Tc
=
25°C)
100
s
10
s
Operation in
this area is
limited by R DS(on)
Ta = 25 °C
20
16
12
8
4
0
Drain to Source Voltage
V
(V)
DS
Drain
Current
I
(A)
D
Typical Output Characteristics
24
6
8
10
V
= 1.5 V
GS
2 V
10 V
5 V
4 V
2.5 V
20
16
12
8
4
0
Gate to Source Voltage
V
(V)
GS
Drain
Current
I
(A)
D
Typical Transfer Characteristics
12
3
4
5
V
= 10 V
Pulse Test
DS
Tc = 75°C
25°C
–25°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2329(L) | 0.06 ohm, POWER, FET |
| 2SK2329L-E | 10 A, 30 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2329S | 10 A, 30 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2329L | 10 A, 30 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2329S | 10 A, 30 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK2329-L(E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| 2SK2329S | 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Silicon N-Channel MOSFET |
| 2SK2330(L) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-262VAR |
| 2SK2330(S) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-263VAR |
| 2SK2330L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
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