參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK2221
元件分類： JFETs
英文描述： POWER, FET
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 38K
代理商： 2SK2221
2SK2220, 2SK2221
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
2SK2220
V
DSX
180
V
2SK2221
200
Gate to source voltage
V
GSS
±20
V
Drain current
I
D
8A
Body to drain diode reverse drain current
I
DR
8A
Channel dissipation
Pch*
1
100
W
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Note
1. Value at Tc = 25
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Drain to source
2SK2220
V
(BR)DSX
180
—
V
I
D = 10 mA, VGS = –10 V
breakdown
voltage
2SK2221
200
—
Gate to source breakdown
voltage
V
(BR)GSS
±20
—
V
I
G = ±100 A, VDS = 0
Gate to source cutoff voltage
V
GS(off)
0.15
—
1.45
V
I
D = 100 mA
V
DS = 10 V
Drain to source saturation
voltage
V
DS(sat)
——
12
V
I
D = 8 A, VGD = 0 V*
1
Forward transfer admittance
|y
fs|
0.7
1.0
1.4
S
I
D = 3 A
V
DS = 10 V*
1
Input capacitance
Ciss
—
600
—
pF
V
GS = –5 V
Output capacitance
Coss
—
800
—
pF
V
DS = 10 V
Reverse transfer capacitance
Crss
—
8
—
pF
f = 1 MHz
Turn-on time
t
on
—
250
—
ns
V
DD = 30 V
Turn-off time
t
off
—
90
—
ns
I
D = 4 A
Note
1. Pulse Test
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SK2224-01R 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:N-channel MOS-FET
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