參數(shù)資料
型號: 2SK2218
廠商: Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述: N-Channel Junction Silicon FET for High-Frequency Low-Noise Amplifier Applications(高頻低噪聲放大器應(yīng)用的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管)
中文描述: N溝道場效應(yīng)晶體管的結(jié)硅高頻低噪聲放大器的應(yīng)用(高頻低噪聲放大器應(yīng)用的?溝道結(jié)型場效應(yīng)管)
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代理商: 2SK2218
2SK2218
No.5202–5/6
S parameter Frequency Characteristics
S parameter Frequency Characteristics
(Common gate) (V
DG
=5V, I
D
=10mA)
(Common gate) (V
DG
=5V, I
D
=10mA)
S parameter
(Common gate)
V
DG
=5V, I
D
=10mA, Z
O
=50
)
H
M
(
q
e
F
S
|
1
2
1
|
S1
7
5
S
|
1
8
2
|
S1
7
2
S
|
2
5
1
|
S2
9
2
1
S
|
2
4
2
|
S2
0
0
0
1
0
0
2
0
0
3
0
0
4
0
0
5
0
0
6
0
0
7
4
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8
3
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4
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5
5
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0
6
0
5
5
0
3
5
0
5
4
4
3
5
2
8
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1
6
4
5
9
3
6
9
2
3
9
3
0
9
5
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8
9
4
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6
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8
8
1
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2
4
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5
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6
9
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8
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0
7
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0
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1
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3
1
7
3
1
1
3
2
3
3
2
4
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1
2
9
8
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9
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9
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PDF描述
2SK222 N-Channel Junction Silicon FET for Low-Frequency Low-Noise Amplifier Applications(低頻低噪聲放大器應(yīng)用的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管)
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