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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK2206 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 32K |
| 代理商： | 2SK2206 |
2SK2206
4
40
30
20
10
0
C
50
100
150
200
Case Temperature Tc (°C)
Power vs. Temperature Derating
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
500
200
100
20
50
10
2
1
5
0.5
0.5
1
2
5
10
20
50
PW=10ms(1sho)
Operation in
this area is
limited by R
DS(on)
DCOperaion(Tc=25°C)
10 μs
100μs
Ta = 25 °C
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
10 μ
100 μ
1 m
10 m
Pulse Width PW (S)
N
100 m
1
10
s
γ
DM
P
PW
T
D =T
ch – c = 3.57 °C/W, Tc = 25 °C
θ γ θ
θ
Tc = 25°C
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2SK2212 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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