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參數資料
| 型號： | 2SK2112 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING |
| 中文描述： | N溝道場效應晶體管的高速開關 |
| 文件頁數： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 59K |
| 代理商： | 2SK2112 |
2SK2112
4
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
1.5
0.5
0.01
0.1
1
10
I
D
- Drain Current - A
SWITCHING CHARACTERISTICS
100
20
0.05
0.2
1
5
I
D
- Drain Current - A
t
d
,
r
,
d
,
f
1
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE
vs. GATE TO SOURCE VOLTAGE
1
0.5
0
5
10
20
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
R
D
I
D
= 0.5 A
25 C
–25 C
0
V
GS
= 10 V
15
C
i
,
o
,
r
CAPACITANCE vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
500
50
0.1
0.5
10
100
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
V
GS
= 0
f = 1 MHz
20
50
0.2
1
2
5
200
100
20
10
C
rss
50
2
5
0.1
0.5
2
V
DD
= 25 V
V
GS(on)
= 10 V
t
d(on)
t
r
t
f
I
S
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTGE
1
0.01
0.2
0.4
0.7
1
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
0.8
0.9
0.3
0.5
0.6
0.1
0.001
0.0001
R
D
T
A
= 75 C
1
C
iss
C
oss
10
t
d(off)
5
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2114 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2115 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2118 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2119 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2120 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK2112-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SEMICONDUCTOR, DESCRETE, MOS, FET, N CHA |
| 2SK2112-T1-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SEMICONDUCTOR, DESCRETE, MOS, FET, N CHA 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SC-62 T/R |
| 2SK2113 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| 2SK2114 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
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