參數(shù)資料
型號： 2SK2111
廠商： NEC Corp.
英文描述： N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
中文描述： N溝道場效應晶體管的高速開關
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 58K
代理商： 2SK2111
2SK2111
4
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE
vs. DRAIN CURRENT
1
0.5
0.01
0.1
1
10
I
D
- Drain Current - A
SWITCHING CHARACTERISTICS
100
10
0.05
0.2
1
5
I
D
- Drain Current - A
t
d
,
r
,
d
,
f
1
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE
vs. GATE TO SOURCE VOLTAGE
1
0.5
0
5
10
20
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
R
D
I
D
= 0.5 A
T
A
= 75 C
25 C
–25 C
0
V
GS
= 10 V
15
C
i
,
o
,
r
CAPACITANCE vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
500
50
0.1
0.5
10
100
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
V
= 0
f = 1 MHz
20
50
0.2
1
2
5
200
100
20
10
C
iss
C
oss
C
rss
50
20
2
5
0.1
0.5
2
V
DD
= 25 V
V
GS(on)
= 10 V
t
d(on)
t
r
t
f
t
d(off)
I
S
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
1
0.01
0.2
0.4
0.7
1
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
0.8
0.9
0.3
0.5
0.6
0.1
0.001
0.0001
R
D
相關PDF資料
PDF描述
2SK2112 N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SK2114 Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
2SK2115 Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
2SK2118 Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
2SK2119 Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
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參數(shù)描述
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2SK2112 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:MOS Field Effect Transistor
2SK2112-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SEMICONDUCTOR, DESCRETE, MOS, FET, N CHA
2SK2112-T1-AZ 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SEMICONDUCTOR, DESCRETE, MOS, FET, N CHA 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SC-62 T/R
2SK2113 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
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