參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK2110
廠商： NEC Corp.
英文描述： N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
中文描述： N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的高速開關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大小： 58K
代理商： 2SK2110
2SK2110
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
100
80
60
40
20
0
30
60
90
120
150
T
A
- Ambient Temperature - C
d
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
10
5
2
1
0.2
0.1
2
5
20
50
100
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
0.5
1
10
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
10ms
1ms
PW=100ms
DC
4.5 V
4.0 V
3.5 V
3.0 V
2.5 V
10 V
V
GS
= 2.0 V
TRANSFER CHARACTERISTICS
1
0.1
0.01
0.001
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
I
D
0.0001
V
DS
= 10 V
T
A
= 75 C
25 C
–25 C
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
10
1
0.1
0.001
0.01
0.1
1
I
D
- Drain Current - A
|
f
|
0.01
V
DS
= 10 V
25 C
75 C
T
A
= –25 C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE
vs. DRAIN CURRENT
1.5
1
0.01
0.1
1
10
I
D
- Drain Current - A
R
D
0
V
GS
= 4 V
0.5
T
A
= 75 C
25 C
–25 C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK2111 N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SK2112 N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SK2114 Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
2SK2115 Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
2SK2118 Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK2110(T1-AZ) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 0.5A 4-Pin(3+Tab) SC-62 T/R
2SK2111 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:MOS Field Effect Transistor
2SK2111-T1-AZ 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Nch MOSFET,60V,1.0A,0.32ohm,P-MINI MOLD3 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 1A 4-Pin(3+Tab) SC-62 T/R
2SK2112 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:MOS Field Effect Transistor
2SK2112-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SEMICONDUCTOR, DESCRETE, MOS, FET, N CHA
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