參數(shù)資料
型號(hào): 2SK2059
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N-Channel MOS FET
中文描述: 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù): 6/9頁
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代理商: 2SK2059
2SK2059(L), 2SK2059(S)
6
500
5
Reverse Drain Current I
DR
(A)
R
r
(
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
0.05
200
100
50
20
10
5
0.1
0.2
0.5
1
2
di/dt = 100 A/
μ
s, V
= 0
Ta = 25°C, Pulse Test
1,000
20
50
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
C
10
30
40
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
0
100
10
1
V
= 0
f = 1 MHz
Crss
Coss
Ciss
500
8
20
Gate Charge Qg (nc)
D
D
Dynamic Input Characteristics
400
100
4
12
16
0
200
300
20
16
4
0
8
12
G
G
V
DD
= 100 V
250 V
400 V
V
GS
V
DS
I
D
= 2 A
V
DD
= 400 V
250 V
100 V
500
5
Drain Current I
D
(A)
S
0.05
Switching Characteristics
200
100
50
20
10
5
0.1
0.5
1
0.2
2
V
GS
= 10 V, V
DD
30 V
PW = 2
μ
s, duty 1%
t
f
t
d (on)
t
r
t
d (off)
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PDF描述
2SK2059L Silicon N-Channel MOS FET
2SK2059S Silicon N-Channel MOS FET
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2SK2075 Silicon N-Channel MOS FET
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參數(shù)描述
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