參數(shù)資料
型號: 2SK2059
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N-Channel MOS FET
中文描述: 硅N溝道場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù): 5/9頁
文件大?。?/td> 47K
代理商: 2SK2059
2SK2059(L), 2SK2059(S)
5
20
8
20
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
16
4
4
12
16
0
8
12
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
Pulse Test
I
D
= 2 A
1 A
0.5 A
50
5
Drain Current I
D
(A)
S
R
D
)
0.05
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
20
10
5
2
1
0.5
0.1
0.2
0.5
1
2
Pulse Test
V
GS
= 10 V
15 V
10
40
160
Case Temperature T
C
(°C)
S
R
D
)
8
2
0
80
120
0
4
6
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
–40
V
GS
= 10 V
Pulse Test
I
D
= 2 A
1 A
0.5 A
5
5
F
y
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
0.05
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
Drain Current I
D
(A)
0.1
0.2
0.5
1
2
V
= 20 V
Pulse Test
T
C
= 25°C
25°C
75°C
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PDF描述
2SK2059L Silicon N-Channel MOS FET
2SK2059S Silicon N-Channel MOS FET
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參數(shù)描述
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