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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK1971 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 59K |
| 代理商： | 2SK1971 |
2SK1971
6
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
Reverse Drain Current I (A)
R
r
0.5
1
2
5
10
20
50
10
20
50
100
200
500
1000
di/dt = 100 A/ s, V = 0
Ta = 25°C
Typical Capacitance
vs. Drain to Source Voltage
10000
1000
100
10
0
10
20
30
40
50
Drain to Source Voltage V (V)
DS
C
V = 0
f = 1 MHz
Ciss
Coss
Crss
Dynamic Input Characteristics
1000
800
600
400
200
40
80
120
160
200
20
16
12
8
4
0
Gate Charge Qg (nc)
D
D
V = 400 V
250 V
100 V
V
I = 35 A
DS
G
G
V
GS
0
V = 400 V
250 V
100 V
Switching Characteristics
Drain Current I (A)
0.5
1
2
5
10
20
50
10
20
50
100
200
500
1000
S
t
td
t
td
V = 10 V, V = 30 V
Pw = 5 s, duty 1%
<
r
f
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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