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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1971 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大小： | 59K |
| 代理商： | 2SK1971 |
2SK1971
5
20
16
12
8
4
0
4
8
12
16
Gate to Source Voltage V (V)
D
V
D
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
Pulse Test
20 A
I = 10 A
20
50 A
0.1
5
Drain Current I (A)
S
R
D
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
0.2
0.5
1
2
5
2
10
20
50
0.05
100 200
V = 10 V
Pulse Test
–40
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
40
80
120
Case Temperature Tc (°C)
S
S
D
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
Pulse Test
V = 10 V
160
I = 50 A
20 A
10 A
0
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
50
20
10
5
2
1
0.5
1
2
5
10
50
100
20
Drain Current I (A)
F
|
f
Tc = 25°C
–25°C
75°C
V = 20 V
Pulse Test
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2007 | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK2008 | Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK2046 | Very High-Speed Switching Applications |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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