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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1961 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | N-Channel Junction Silicon FET for High-Frequency Low-Noise Amplifier Applications(高頻低噪聲放大器應(yīng)用的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | N溝道場效應(yīng)晶體管的結(jié)硅高頻低噪聲放大器的應(yīng)用（高頻低噪聲放大器應(yīng)用的?溝道結(jié)型場效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 166K |
| 代理商： | 2SK1961 |
2SK1961
No.4502–5/6
S parameter Frequency Characteristic
S parameter
(Common Gate)
V
DG
=5V, I
D
=10mA, Z
O
=50
)
H
M
(
q
e
F
S
|
1
2
1
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∠
S1
7
5
S
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1
8
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∠
S1
7
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S
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S
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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