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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1951 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 34K |
| 代理商： | 2SK1951 |
2SK1951
4
60
40
20
50
100
150
Case Temperature Tc (°C)
Power vs. Temperature Derating
C
0
D
Drain to Source Voltage V (V)
D
DCOpeaion(T =25C
Ta = 25°C
1m
PW=10m 1Sho)
100 s
10 s
μ
aeai imted
b R (on
D
Maximum Safe Operation Area
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.1
0.3
1
3
10
30
100
3
γ
S
1.0
0.1
0.3
10
μ
0.03
0.01
100
μ
10 m
100 m
1
10
1 m
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
Pulse Width PW (s)
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1 Shot Pulse
T
PW
P
DM
D =
T
PW
θ
ch–c (t) =
γ
(t) ·
θ
ch–c
θ
ch–c = 3.57°C/W, T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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