參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK1951
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
中文描述： 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的）
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 34K
代理商： 2SK1951
2SK1951
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
*
I
DR
I
AP
*
E
AR
*
Pch*
60
V
Gate to source voltage
±
20
25
V
Drain current
A
Drain peak current
1
100
A
Body to drain diode reverse drain current
25
A
Avalanche current
3
25
A
Avalanche energy
3
53
mJ
Channel dissipation
2
30
W
Channel temperature
Tch
150
°
C
°
C
Storage temperature
Notes 1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1 %
2. Value at Tc = 25
°
C
3. Value at Tch = 25
°
C, Rg
≥
50
Tstg
–55 to +150
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PDF描述
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