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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK1934 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET |
| 中文描述： | 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 49K |
| 代理商： | 2SK1934 |
2SK1934
5
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
4
8
12
16
20
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Gate to Source Voltage V (V)
D
V
D
Pulse Test
2 A
I = 1 A
5 A
0
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
0.2
0.5
Drain Current I (A)
1
2
5
10
20
0.5
1
2
5
10
20
50
S
R
D
V = 10 V
Pulse Test
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
Case Temperature T (°C)
S
R
D
5
4
3
2
1
–40
0
40
80
120
160
Pulse Test
I = 5 A
0
2 A
1 A
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
50
20
10
5
2
1
0.5
0.1
0.2
0.5
1
5
10
2
Drain Current I (A)
F
|
f
Tc = 25°C
–25°C
Pulse Test
V = 20 V
DS
75°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1947 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1948 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
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| 2SK1949L | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1949S | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 2SK1934-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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| 2SK1938-01RSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK1938RF101 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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