參數(shù)資料
型號: 2SK1934
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N-Channel MOS FET
中文描述: 硅N溝道場效應晶體管
文件頁數(shù): 4/10頁
文件大?。?/td> 49K
代理商: 2SK1934
2SK1934
4
Case Temperature Tc (°C)
Power vs. Temperature Derating
C
0
50
100
150
50
100
150
Maximum Safe Operation Area
50
30
10
3
1
0.3
0.1
0.05
1
3
10
30
100
300 1000
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
i mtedb R
DSon
1m
μ
100 s
μ
PW=10m 1sho)
DCOeao T =2°C
Ta = 25°C
10 s
10
Typical Output Characteristics
10
8
6
4
2
0
20
30
40
50
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
V = 3.5 V
5 V
4 V
8 V
10 V
Pulse Test
Typical Transfer Characteristics
10
8
6
4
2
0
2
4
6
8
10
Gate to Source Voltage V (V)
D
D
Tc = 25°C
–25°C
75°C
Pulse Test
V = 20 V
DS
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