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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK1911 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/9頁(yè) |
| 文件大小： | 65K |
| 代理商： | 2SK1911 |
2SK1911
7
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
100
80
60
40
20
R
D
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Source to Drain Voltage V (V)
Pulse Test
V = 10 V
5 V
0, –5 V
0
R
A
Maximum Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
I = 40 A
V = 25 V
duty < 1%
Rg =
Channel Temperature Tch (°C)
200
160
120
50
75
100
125
150
25
80
40
0
V
Monitor
I
Monitor
D.U.T
V
DD
Rg
50
Vin
15 V
V
DD
I
D
I
AP
V
(BR) DSS
V
DS
E = 2
AP
1
2
V
V – V
Avalanche Test Circuit and Waveform
L
0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1918L | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1918S | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1918 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1920 | Very High-Speed Switching Applications |
| 2SK1921 | Very High-Speed Switching Applications |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1917 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SK1920-TL-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 250V 4A TO-251 |
| 2SK192A-BL(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:Bulk |
| 2SK192A-GR(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:Bulk |
| 2SK192A-Y | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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