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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1911 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 65K |
| 代理商： | 2SK1911 |
2SK1911
5
Pulse Test
0
2
4
Gate to Source Voltage V (V)
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
D
V
D
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
I = 10 A
20 A
50 A
6
8
10
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
S
R
)
D
Drain Current I (A)
V = 4 V
10 V
5
10
20
50
100 200
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.005
2
0.01
Pulse Test
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
S
R
D
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
I = 50 A
–40
0
80
120
Case Temperature Tc (°C)
40
50 A
10 A, 20 A
V = 4 V
10 V
160
10 A, 20 A
0
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
F
|
Drain Current I (A)
Tc = 25°C
75°C
100
50
20
10
5
2
1
–25°C
Pulse Test
V = 10V
0.5
1
2
5
10
20
50
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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