參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK1831
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 硅N溝道場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 33K
代理商： 2SK1831
2SK1831, 2SK1832
4
75
50
25
50
100
150
Case Temperature Tc (°C)
Power vs. Temperature Derating
C
0
D
Drain to Source Voltage V (V)
D
1m
PW=10ms(1sho)
100 s
μ
μ
Operation in this
area is limited
by R (on)
Maximum Safe Operation Area
50
30
10
0.3
0.05
1
300
1000
Ta = 25°C
DCOpeaion(T =25C
3
1
0.1
100
30
10
3
K1831
K1832
PW
T
P
DM
θ
ch – c(t) = s(t .
ch – c = 2.50°C/W, Tc = 25°C
θ
PW
N
γ
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10 μ
100 μ
1 m
10 m
100 m
1
10
1 Shot Pulse
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Pulse Width PW (S)
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PDF描述
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