參數(shù)資料
型號： 2SK1667
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 硅N溝道場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大小： 47K
代理商： 2SK1667
2SK1667
5
Reverse Drain Current I (A)
R
0.2
0.5
1
2
5
10
20
5
10
20
50
100
200
500
di / dt = 100 A / s
V = 0, Ta = 25°C
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
Drain to Source Voltage V (V)
C
0
10
20
30
40
50
1
10
100
1000
Ciss
Coss
Crss
V = 0
f = 1 MHz
Typical Capacitance vs. Drain
Source Voltage
Gate Charge Qg (nc)
0
8
500
D
D
0
4
8
12
16
20
100 V
100 V
50 V
I = 7 A
V
GS
V = 50 V
V = 200 V
V
DS
200 V
G
G
400
300
200
100
16
24
32
40
Dynamic Input Characteristics
Drain Current I (A)
S
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
10
20
50
100
200
500
V = 10 V, V 30 V
PW = 2 s, duty 1 %
td (off)
tf
tr
td (on)
5
Switching Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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2SK1669 Silicon N-Channel MOS FET
2SK1670 Silicon N-Channel MOS FET
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參數(shù)描述
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