參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK1667
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大小： 47K
代理商： 2SK1667
2SK1667
4
Gate to Source Voltage V (V)
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
Pulse Test
D
D
5 A
2 A
I = 10 A
Drain to Source Stauration Voltage
vs. Gate to Source Voltage
0.2
0.5
1
2
5
20
10
0.05
0.1
0.2
0.5
2
5
Drain Current I (A)
S
R
D
1
Pulse Test
15 V
V = 10 V
GS
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
Case Temperature Tc (°C)
S
R
D
– 40
0
40
80
120
160
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
5 A
2 A
Pulse Test
V = 10 V
I = 10 A
D
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
Drain Current I (A)
F
f
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
0.5
1
2
5
10
20
50
Pulse Test
V = 10 V
DS
Tc = 75°C
25°C
– 25°C
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK1668 Silicon N-Channel MOS FET
2SK1669 Silicon N-Channel MOS FET
2SK1670 Silicon N-Channel MOS FET
2SK1671 Silicon N-Channel MOS FET
2SK168 Silicon N-Channel Junction FET
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參數(shù)描述
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