參數(shù)資料
型號(hào): 2SK163
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N-Channel MOS FET
中文描述: 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù): 4/9頁(yè)
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代理商: 2SK163
2SK1636(L), 2SK1636(S)
4
120
80
40
0
50
100
150
Case Temperature T
C
(°C)
C
Power vs. Temperature Derating
100
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
1
30
10
3
1
0.3
0.1
3
1,000
300
100
10
30
100
DCOpeaion(T
C
=25C
PW=10m 1Sho)
10
μ
s
Ta = 25°C
Oeaini hsae
i mtdb R
DS(n
20
8
20
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
Typical Transfer Characteristics
16
4
4
12
16
0
8
12
D
D
V
GS
= 3.5 V
4.5 V
5 V
4 V
5.5 V
Pulse Test
10 V
8 V
20
4
10
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
Typical Transfer Characteristics
16
4
2
6
8
0
8
12
D
D
V
= 10 V
Pulse Test
Ta
= 75°C
25°C
–25°C
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PDF描述
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