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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1636L |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | 2SK1636L |
2SK1636(L), 2SK1636(S)
5
1.0
40
160
Case Temperature T
C
(°C)
S
R
D
)
0.8
0.2
0
80
120
0
0.4
0.6
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
–40
Pulse Test
V
GS
= 10 V
I
D
= 15 A
10 A
5 A
50
50
F
y
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
0.5
20
10
5
2
1
0.5
Drain Current I
D
(A)
1
2
5
10
20
V
= 10 V
Pulse Test
T
C
= –25°C
25°C
75°C
1,000
50
Reverse Drain Current I
DR
(A)
R
r
(
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
0.5
200
100
20
10
1
2
5
10
20
di/dt = 100 A/
μ
s, Ta = 25°C
V
GS
= 0
500
50
10,000
20
50
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
C
10
30
40
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
0
1,000
100
10
V
= 0
f = 1 MHz
Crss
Coss
Ciss
500
40
100
Gate Charge Qg (nc)
D
D
Dynamic Input Characteristics
400
100
20
60
80
0
200
300
20
16
4
0
8
12
G
G
V
DD
= 50 V
100 V
200 V
V
DD
= 200 V
100 V
50 V
I
D
= 15 A
V
GS
V
DS
500
20
Drain Current I
D
(A)
S
0.2
Switching Characteristics
200
100
50
20
10
5
0.5
2
5
1
10
V
= 10 V, PW = 2
μ
s
duty < 1%
t
d (off)
t
f
t
d (on)
t
r
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1636S | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1637 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK163 | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1648 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1648L | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1636S(TR-E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| 2SK1637(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1642 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SK1647L-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1647STL-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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