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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1629-E |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 30 A, 500 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 |
| 封裝： | TO-3PL, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | 2SK1629-E |
2SK1628, 2SK1629
REJ03G0960-0400 Rev.4.00 May 13, 2009
Page 5 of 6
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
20
16
12
8
4
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Source to Drain Voltage VSD (V)
Reverse
Drain
Current
I
DR
(A)
Pulse Test
5 V, 10 V
VGS = 0, –10 V
Vin Monitor
Vout Monitor
RL
50
Vin = 10 V
D.U.T
.
VDD = 30 V
.
Switching Time Test Circuit
Vin
10 %
90 %
10 %
td (on)
td (off)
tr
tf
Vout
10 %
Waveforms
3
Pulse Width PW (S)
Normalized
Transient
Thermal
Impedance
γ S
(t)
1
0.1
0.3
D = 1
10
0.03
0.01
100
10 m
100 m
1
10
1 m
TC = 25°C
0.5
0.2
0.1
0.02
0.01
1 Shot
Pulse
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
T
PW
PDM
D =
T
PW
θch–c (t) = γ
S (t) θch–c
θch–c = 0.625°C/W, T
C = 25°C
C/W
0.05
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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