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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK1628 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 67K |
| 代理商： | 2SK1628 |
2SK1628, 2SK1629
5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
–40
0
40
80
120
160
Case Temperature T
C
(°C)
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
V
= 10 V
Pulse Test
S
R
D
)
10 A
I
D
= 20 A
5 A
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
50
20
10
5
0.5
0.2
0.5
1.0
5
10
20
Drain Current I
D
(A)
1.0
2
2
75°C
F
y
T
C
= 25°C
V
= 20 V
Pulse Test
–25°C
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
di/dt = 100 A/
μ
s, Ta = 25°C
V
= 0
Pulse Test
Reverse Drain Current I
DR
(A)
R
r
5,000
2,000
500
200
100
50
1,000
0.5
1.0
2
5
10
20
50
Typical Capacitance
vs. Drain to Source Voltage
100
0
10
20
30
40
50
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
C
Coss
Ciss
Crss
10
V
= 0
f = 1 MHz
1,000
10,000
Dynamic Input Characteristics
500
400
300
200
100
0
40
80
120
160
200
Gate Charge Qg (nc)
D
D
20
16
12
8
4
0
G
G
V
DD
= 100 V
V
= 400 V
250 V
100 V
250 V
V
DS
I
D
= 20 A
400 V
V
GS
Switching Characteristics
500
100
50
20
10
5
200
S
0.5
1.0
2
5
10
20
50
Drain Current I
D
(A)
V
= 10 V V
= 30 V
PW = 2
μ
s, duty < 1%
t
d (off)
t
r
t
f
t
d (on)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1629 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1636 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1636L | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1636S | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1637 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1629(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK163 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SK1636S(TR-E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| 2SK1637(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1642 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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