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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK1628 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 67K |
| 代理商： | 2SK1628 |
2SK1628, 2SK1629
4
300
200
100
0
50
100
150
Case Temperature T
C
(°C)
Power vs. Temperature Derating
C
500
100
5
0.5
10
100
1,000
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
200
1
1
3
30
300
Ta = 25°C
10
μ
s
100
μ
s
1ms
DCOeain(T
C
=2°C
2SK1628
2SK1629
Opeaioninthsaea
i imtedb R
DS(on
PW=10ms(1Sho)
20
10
50
2
Typical Output Characteristics
50
30
20
10
0
10
20
30
50
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
6 V
40
40
V
GS
= 4 V
Pulse Test
5 V
10 V
7 V
Typical Transfer Characteristics
20
16
8
4
0
2
4
6
8
10
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
12
T
C
= 25°C
75°C
–25°C
V
= 20 V
Pulse Test
10
8
4
2
0
4
8
12
16
20
6
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
V
D
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
Pulse Test
10 A
I
D
= 5 A
20 A
5
2
1.0
0.5
0.05
1
2
5
20
50
100
Drain Current I
D
(A)
0.1
0.2
Pulse Test
10
V
GS
= 10 V
15 V
S
R
D
)
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1629 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1636 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1636L | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1636S | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1637 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1629(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK163 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SK1636S(TR-E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| 2SK1637(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1642 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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