參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK1627
廠(chǎng)商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 34K
代理商： 2SK1627
2SK1626, 2SK1627
4
60
40
20
0
50
100
150
Case Temperature T
C
(°C)
C
Power vs. Temperature Derating
10
1
0.2
0.1
0.05
10
100
1,000
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
5
0.5
1
3
30
300
Ta = 25°C
10
μ
s
100
s
DCOpeaion(T
C
=25C
Operation in this Area
is Limited by R
DS (on)
20
50
2
2SK1627
2SK1626
3
Pulse Width PW (s)
γ
S
1.0
0.1
0.3
10
μ
0.03
0.01
100
μ
10 m
100 m
1
10
1 m
T
C
= 25°C
T
PW
P
DM
D =
T
PW
θ
ch–c (t) =
γ
(t) ·
θ
ch–c
θ
ch–c = 3.57°C/W, T
C
= 25°C
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
D=1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
1 Shot Pulse
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PDF描述
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