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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1329 |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 0.6 ohm, POWER, FET |
| 封裝： | TO-3PFM, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大小： | 32K |
| 代理商： | 2SK1329 |
2SK1328, 2SK1329
4
120
80
40
0
50
100
150
Case Temperature TC (°C)
Channel
Dissipation
Pch
(W)
Power vs. Temperature Derating
100
10
1.0
0.1
10
100
1,000
Drain to Source Voltage VDS (V)
Drain
Current
I
D
(A)
Maximum Safe Operation Area
30
3
0.3
1
3
30
300
Ta = 25°C
10
s
100
s
1 ms
DC
Operation
(T
C =
25°C)
PW
=
10
ms
(1
Shot)
Operation in this Area
is Limited by R
DS (on)
2SK1329
2SK1328
3
Pulse Width PW (s)
Normalized
Transient
Thermal
Impedance
γ S
(t)
1.0
0.1
0.3
10
0.03
0.01
100
10 m
100 m
1
10
1 m
TC = 25°C
T
PW
PDM
D =
T
PW
θch–c (t) = γ
S (t) θch–c
θch–c = 2.08°C/W, T
C = 25°C
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
D=1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1 Shot
Pulse
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1328 | 0.55 ohm, POWER, FET |
| 2SK1334BYTL-E | 1000 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SK1337TZ-E | 300 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
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| 2SK1339-E | 3 A, 900 V, 7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1329-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
| 2SK133 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER |
| 2SK1330A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-247VAR |
| 2SK1331 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-247VAR |
| 2SK1332 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Low-Frequency General-Purpose Amp Applications |
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