參數(shù)資料
型號(hào): 2SK1170
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N-Channel MOS FET
中文描述: 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù): 5/9頁(yè)
文件大?。?/td> 49K
代理商: 2SK1170
2SK1169, 2SK1170
5
10
8
4
2
0
4
8
12
16
20
6
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
V
D
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
Pulse Test
10 A
I
D
= 5 A
20 A
5
2
1.0
0.5
0.05
1
2
5
20
50
100
Drain Current I
D
(A)
0.1
0.2
Pulse Test
10
V
GS
= 10 V
15 V
S
R
D
)
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
–40
0
40
80
120
160
Case Temperature T
C
(°C)
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
V
= 10 V
Pulse Test
S
R
D
)
10 A
I
D
= 20 A
5 A
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
50
20
10
5
0.5
0.2
0.5
1.0
5
10
20
Drain Current I
D
(A)
1.0
2
2
75°C
F
y
T
C
= 25°C
V
= 20 V
Pulse Test
–25°C
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PDF描述
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